Samsung comienza la producción en masa de DRAM LPDDR5 de 16 Gb

Samsung Electronics ha anunciado que su segunda línea de producción en Pyeongtaek, Corea, ha comenzado la fabricación en masa de la primera DRAM móvil LPDDR5 de 16 gigabits (Gb) de la industria, utilizando tecnología ultravioleta extrema (EUV). Basado en el proceso de tercera generación de clase 10nm (1z) de Samsung, el nuevo LPDDR5 de 16 Gb cuenta con el mayor rendimiento de memoria móvil y la mayor capacidad para permitir que más consumidores disfruten de todos los beneficios de las funciones 5G e IA en los smartphones de próxima generación.

Con una velocidad de 6.400 megabits por segundo (Mb/s), el nuevo LPDDR5 es aproximadamente un 16% más rápido que el LPDDR5 de 12Gb (5.500 Mb/s) que se encuentra en la mayoría de los dispositivos móviles insignia de la actualidad. Cuando se convierte en un paquete de 16 GB, el LPDDR5 puede transferir alrededor de 10 películas Full HD de 5 GB, o 51,2 GB de datos, en un segundo.

Gracias al uso del primer proceso comercial 1z, el paquete LPDDR5 es un 30% más delgado que su predecesor, lo que permite que los terminales 5G y multicámara, así como los dispositivos plegables, incluyan más funciones en un diseño delgado. El LPDDR5 de 16 Gb puede construir un paquete de 16 GB con solo ocho chips, mientras que su predecesor basado en el proceso 1y requiere 12 chips (ocho chips de 12 Gb y cuatro chips de 8 Gb) para proporcionar la misma capacidad.

“El LPDDR5 de 16 Gb basado en 1z eleva la industria a un nuevo umbral, superando un importante obstáculo de desarrollo en el escalado de DRAM en nodos avanzados”, señala Jung-bae Lee, vicepresidente ejecutivo de Tecnología y Producto DRAM en Samsung Electronics. "Continuaremos expandiendo nuestra línea de DRAM premium y superando las demandas de los clientes, a medida que lideramos el crecimiento del mercado de memoria en general".

Con una extensión de más de 128.900 metros cuadrados, lo que equivale a unos 16 campos de fútbol, la Línea 2 de Samsung en Pyeongtaek es la línea de producción de semiconductores a mayor escala hasta la fecha. Esta nueva línea servirá como el centro de fabricación clave para las tecnologías de semiconductores más avanzadas de la industria, brindando DRAM premium, seguida de V-NAND de próxima generación y soluciones de fundición, al tiempo que refuerza el liderazgo de la empresa en la era de la Industria 4.0.

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