Samsung inicia la construcción de una nueva fábrica de memoria NAND flash

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Ubicada dentro de la Línea 2 de Pyeongtaek en Corea, la nueva instalación está programada para que inicie la producción en masa en el segundo semestre de 2021. La instalación estará dedicada a la fabricación de memoria V-NAND para satisfacer las futuras demandas móviles y de centros de datos.

Samsung Electronics ha anunciado sus planes para expandir la producción de memoria NAND flash en Pyeongtaek, Corea, reforzando la capacidad de la compañía para satisfacer las demandas de las tecnologías emergentes. La construcción de la nueva fábrica, que comenzó en mayo, allanará el camino para la producción en masa de memoria V-NAND avanzada de Samsung en la segunda mitad de 2021.

En la era de la Cuarta Revolución Industrial impulsada por la inteligencia artificial, la Internet de las Cosas y la expansión 5G, la capacidad adicional desempeñará un papel importante para ayudar a abordar las demandas de memoria NAND flash a medio y largo plazo. A medida que prevalezcan los estilos de vida digitales, Samsung continuará siendo proactivo en la realización de nuevas inversiones para aprovechar las futuras oportunidades del mercado.

"La nueva inversión reafirma nuestro compromiso de mantener un liderazgo indiscutible en tecnologías de memoria, incluso en tiempos de incertidumbre", explica Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Memory Global Sales & Marketing en Samsung Electronics. "Continuaremos sirviendo al mercado con las soluciones más optimizadas disponibles, mientras contribuimos al crecimiento de la industria de TI en general y de la economía en general".

La red de producción NAND flash de Samsung se extiende desde Hwaseong y Pyeongtaek, en Corea, hasta Xi'an, en China. Establecido en 2015, el Campus Pyeongtaek de Samsung es un centro para tecnologías de memoria de próxima generación, que consta de dos de las líneas de producción a mayor escala del mundo.

Aprovechando su ventaja en la fabricación y la tecnología, Samsung ha mantenido la posición de liderazgo en memoria NAND flash durante los últimos 18 años, siendo una innovación reciente la primera V-NAND de sexta generación (capa 1xx) de la industria presentada en julio pasado. A través de una inversión equilibrada, Samsung apunta a mantener una red de producción sólida que consolidará aún más su posicionamiento en el mercado.

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