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Qué esperar de la nueva generación de soluciones de memoria de Samsung (I)

  • Productividad

Samsung SSD circuito

A medida que avanzamos en la próxima era tecnológica, se necesita una gran cantidad de nuevas soluciones de memoria que aseguren el futuro de la industria en áreas como domótica, centros de datos, tecnología móvil y automoción. Samsung propone la tercera generación de DRAM de 10nm y SSD V-NAND de séptima generación.

DRAM significa RAM "dinámica", que denota el hecho de que la celda de almacenamiento se actualiza cada pocos milisegundos y, como resultado, puede adaptarse rápidamente a cualquier tarea que deba realizarse en un momento dado. La solución DRAM de tercera generación de 10nm (1z) de Samsung proporciona eficiencia y capacidad energética avanzadas, lo que lo convierte en un paquete verdaderamente completo.

En 2016, el estándar para el ancho de banda DRAM era un máximo de 20 núcleos y cuatro canales de memoria en la CPU, y ahora Samsung ha aumentado ese número a un máximo de 64 núcleos y ocho canales de memoria. Además, la DRAM 1z de Samsung sienta las bases para la producción de soluciones de memoria de vanguardia como DDR5, LPDDR5, HBM2E y GDDR6.

La solución DDR5 permite una mayor eficiencia energética por capacidad y está optimizada para aplicaciones de big data, mientras que LPDDR5 crea nuevas experiencias móviles al reducir el consumo de energía y provocar cambios en la IA del dispositivo y el tiempo de batería. GDDR6 de Samsung permitirá el procesamiento de gráficos en tiempo real y real, y la solución HBM2E de la compañía permitirá que se realice una supercomputación poderosa desde una sola caja al tiempo que reduce significativamente el tiempo de entrenamiento de IA.

En memoria Flash, V-NAND de séptima generación de Samsung presenta casi 200 (1yy) capas de células y es adecuado tanto para uso móvil como para otras aplicaciones de memoria premium. La última solución V-NAND de Samsung es la V6, con los modelos V7, V8, V9 y Vxx previstos para el desarrollo futuro. Cada modelo posterior contará con una mayor capacidad. La visión de Samsung para V-NAND incluye la modificación de la pila de host para acomodar la escritura secuencial para la reducción de WAF (factor de amplificación de escritura), la implementación de ZNS (Zoned Namespace) y el desarrollo de aplicaciones orientadas a la capacidad y de lectura intensiva.

Más información

La tecnología de almacenamiento permite a las empresas disponer de la capacidad necesaria para poder gestionar sus datos. Si quiere conocer más sobre la propuesta de Samsung Storage puede consultar este enlace.