Samsung lanza la tecnología X-Cube para aplicaciones de alto rendimiento
- Productividad
Samsung eXtended-Cube proporciona el primer silicio de la industria que trabaja con lógica SRAM 3D a 7 nm y más. El ancho de banda y la densidad se pueden escalar para adaptarse a diversos requisitos de diseño en aplicaciones emergentes, incluyendo 5G e inteligencia artificial.
Samsung Electronics ha anunciado la disponibilidad inmediata de su tecnología de empaquetado IC 3D en silicio, eXtended-Cube (X-Cube), para los nodos de proceso más avanzados de la actualidad. Aprovechando la tecnología TSV (through-silicon via) de Samsung, X-Cube proporciona avances significativos en velocidad y eficiencia energética para ayudar a abordar las rigurosas demandas de rendimiento de las aplicaciones de próxima generación, que incluyen 5G, inteligencia artificial, informática de alto rendimiento, así como dispositivos móviles y wearables.
"La nueva tecnología de integración 3D de Samsung asegura interconexiones TSV confiables incluso en los nodos de proceso EUV avanzados", explica Moonsoo Kang, vicepresidente senior de Foundry Market Strategy en Samsung Electronics. "Estamos comprometidos a brindar más innovación en 3D IC que pueda superar los límites de los semiconductores".
Con X-Cube de Samsung, los diseñadores de chips pueden disfrutar de una mayor flexibilidad para crear soluciones personalizadas que se adapten mejor a sus requisitos únicos. El chip de prueba X-Cube construido en 7nm utiliza tecnología TSV para apilar SRAM en la parte superior de un dado lógico, liberando espacio para almacenar más memoria en un espacio más pequeño. Habilitado por la integración 3D, el diseño ultradelgado presenta rutas de señal significativamente más cortas entre las matrices para maximizar la velocidad de transferencia de datos y la eficiencia energética. Los clientes también pueden escalar el ancho de banda y la densidad de la memoria a sus especificaciones deseadas.
La metodología y el flujo de diseño probado en silicio de Samsung X-Cube están disponibles para nodos avanzados, incluidos 7 nm y 5 nm. Sobre la base del diseño inicial, Samsung planea continuar colaborando con clientes globales para facilitar la implementación de soluciones IC 3D en aplicaciones de alto rendimiento de próxima generación.
Más información
La tecnología de almacenamiento permite a las empresas disponer de la capacidad necesaria para poder gestionar sus datos. Si quiere conocer más sobre la propuesta de Samsung Storage puede consultar este enlace.
