EUV: La revolución silenciosa en DRAM (I)

Más pequeño, más rápido, mejor. El mercado de DRAM siempre se ha centrado en la miniaturización y la mejora. Esto es así no porque los fabricantes quieran demostrar que pueden, sino porque siempre existe la necesidad de innovar y mejorar la generación anterior. La última innovación cambiará drásticamente la apariencia y el funcionamiento de los dispositivos. La tecnología que permite todo esto es la litografía Ultravioleta Extrema (EUV).

El mercado de la memoria es competitivo. Sin embargo, ninguna medida revolucionaria que realmente sacuda la industria puede implementarse de la noche a la mañana. Por tanto, es fundamental prepararse ahora para el mañana. EUV ofrece un futuro brillante para DRAM, pero es la litografía ultravioleta profunda (DUV) la que se utiliza actualmente en toda la industria. DUV funciona bien para las generaciones de semiconductores actuales, pero, con el lanzamiento comercial de EUV que está comenzando a tener lugar, es hora de soñar en grande acerca de abordar las limitaciones de los procesos actuales y fabricar memoria de nuevas formas.

Si miras a tu alrededor probablemente verás una pieza de tecnología que se conecta a una red más amplia de dispositivos. Y, de hecho, es el crecimiento de IoT, AI y 5G lo que requiere cambios en la forma en que se desarrolla la DRAM. La memoria ahora necesita un procesamiento más fino y la luz ultravioleta increíblemente fina utilizada en el proceso EUV es justo lo que la industria necesita para crear soluciones DRAM que se implementarán ampliamente en los próximos años.

EUV es una cuestión de escala. Esta tecnología aporta una serie de ventajas gracias al enfoque único de la litografía que permite. La litografía en la fabricación de semiconductores utiliza la luz para transferir una imagen a una oblea de silicio. El proceso funciona al pasar la luz a través de una máscara que contiene una plantilla del patrón del circuito y una serie de lentes ópticas para encoger la imagen y proyectarla sobre el silicio. El patrón del circuito permanece en la oblea después de que se produzcan procesos químicos y de luz adicionales.

Esta es la diferencia. Mientras que la litografía DUV utiliza longitudes de onda de 193 nm, la litografía EUV utiliza longitudes de onda de 13,5 nm, una gran mejora. Esto permite el dibujo de circuitos más finos y, por lo tanto, se pueden almacenar más datos dentro de la misma área de superficie. Hacer los circuitos más finos significa que más puertas lógicas pueden caber dentro de un solo chip. Como resultado, estos chips, a su vez, se vuelven más potentes y energéticamente eficientes. El área de la superficie de un chip se usa de manera mucho más efectiva cuando se implementa EUV, por lo que no es de extrañar por qué tantos en la industria claman por perfeccionar la tecnología para sus propias líneas de fabricación.

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