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Tendencias que se impondrán en los mercados DRAM y NAND Flash

  • Productividad

NAND Flash memoria almacenamiento

A medida que la industria DRAM ingresa oficialmente a la era EUV, la tecnología de almacenamiento NAND Flash avanzará más allá de las 150 capas. Por otra parte, aunque PCIe Gen 3 es actualmente la interfaz de bus dominante para SSD, PCIe Gen 4 comenzará a ganar una mayor participación de mercado en 2021.

Los principales proveedores de DRAM no solo continuarán su transición hacia las tecnologías de proceso 1Znm y 1alpha nm, sino que también introducirán formalmente la era de la tecnología ultravioleta extrema (EUV), con Samsung liderando el cambio en 2021. Según TrendForce, los proveedores de DRAM reemplazarán gradualmente sus tecnologías de doble patrón existentes para optimizar su estructura de costes y eficiencia de fabricación.

EUV utiliza una longitud de onda precisa de 13,5nm en comparación con los 193nm anteriores. A través de la nueva tecnología de procesamiento, el patrón único mejora la precisión y acorta el procesamiento en comparación con el patrón múltiple, que se basa en una longitud de onda más larga. Esto aumenta notablemente la eficiencia de producción en la oblea en comparación con la tecnología de procesamiento anterior, permitiendo que la memoria almacene más capacidad dentro de la misma área y tamaño para satisfacer las crecientes demandas de memoria de alta capacidad en el futuro.

Samsung ya está produciendo en masa productos específicos basados en EUV. Recientemente, ha anunciado que ha vendido con éxito un millón de los primeros módulos DRAM DDR4 de 10nm basados en la tecnología, los cuales abrirán la puerta a nodos de proceso EUV más avanzados para su uso en aplicaciones de PC premium, dispositivos móviles, servidores empresariales y centros de datos.

Por otro lado, TrendForce prevé que, después de que los proveedores de NAND Flash lograron impulsar la tecnología de apilamiento de memoria más allá de las 100 capas en 2020, apuntarán a 150 capas o más en 2021 y mejorarán la capacidad de una sola matriz de 256/512 Gb a 512 Gb/1 TB. Los consumidores podrán adoptar productos NAND Flash de mayor densidad a través de los esfuerzos de los proveedores para optimizar los costes de los chips.

Además, si bien PCIe Gen 3 es actualmente la interfaz de bus dominante para SSD, PCIe Gen 4 comenzará a ganar una mayor participación de mercado en 2021 debido a su integración en Plas consolas de videojuegos PS5 y Xbox Series X / S y en placas base con la nueva microarquitectura de Intel. La nueva interfaz es indispensable para satisfacer la demanda masiva de transferencia de datos de PCs de alta gama, servidores y centros de datos HPC.

Samsung cuenta ya con varios SSD PCIe Gen 4 en el mercado. El más reciente es el 980 PRO, que permite ofrecer velocidades de lectura y escritura secuenciales de hasta 7.000 MB/s y 5.000 MB/s, respectivamente, así como unas velocidades de lectura y escritura aleatorias de hasta 1.000K IOPS, lo que hace que sea dos veces más rápido que los SSD PCIe 3.0 y hasta 12,7 más rápido que los SSD SATA.

Más información

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