Samsung amplía su oferta DRAM con el primer módulo DDR5 basado en tecnología HKMG
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Con más del doble del rendimiento de DDR4, hasta 7.200 megabits por segundo (Mbps), la nueva memoria DDR5 será capaz de orquestar cargas de trabajo de gran ancho de banda y con gran demanda de computación. Al utilizar aproximadamente un 13% menos de energía, es especialmente adecuada para centros de datos.
A medida que la cantidad de datos que se moverán, almacenarán y procesarán aumenta exponencialmente, la transición a DDR5 llega en un punto de inflexión crítico para los centros de datos en la nube, las redes y las implementaciones de Edge. En su afán por ofrecer una memoria DDR5 aún más rápida y energéticamente eficiente, con un rendimiento optimizado, Samsung Electronics ha ampliado su cartera de memoria DRAM DDR5 con el primer módulo DDR5 de 512 GB de la industria basado en la tecnología de fabricación High-K Metal Gate (HKMG).
La DDR5 de Samsung utilizará así tecnología HKMG altamente avanzada que se ha utilizado tradicionalmente en semiconductores lógicos. Con la reducción continua de las estructuras DRAM, la capa de aislamiento se ha reducido, lo que conlleva una mayor fuga energética. Al reemplazar el aislante con material HKMG, la DDR5 de Samsung podrá reducir las fugas y alcanzar nuevos niveles de rendimiento.
Con más del doble del rendimiento de DDR4, hasta 7.200 megabits por segundo (Mbps), la nueva DDR5 será capaz de orquestar las cargas de trabajo de gran ancho de banda y con gran demanda de computación en supercomputación, inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático (ML), así como aplicaciones de análisis de datos. Esta nueva memoria también utilizará aproximadamente un 13% menos de energía, lo que la hace especialmente adecuada para centros de datos donde la eficiencia energética se vuelve cada vez más crítica.
"Samsung es la única empresa de semiconductores con capacidades de lógica y memoria y la experiencia para incorporar tecnología lógica HKMG en el desarrollo de productos de memoria", asegura Young-Soo Sohn, vicepresidente del DRAM Memory Planning/Enabling Group en Samsung Electronics. “Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento, pero energéticamente eficientes, para alimentar las computadoras necesarias para la investigación médica, los mercados financieros, la conducción autónoma, las ciudades inteligentes y más”.
El proceso de fabricación HKMG se adoptó por primera vez en la industria en la memoria GDDR6 de Samsung en 2018. Al expandir su uso a DDR5, Samsung está consolidando aún más su posicionamiento en tecnología DRAM de próxima generación.
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