Con una eficiencia energética superior y una velocidad notablemente rápida, las memorias eMMC son la mejor opción de almacenamiento flash para desarrollar un diseño móvil ultradelgado. Desde 4GB a 256GB, la amplia gama de soluciones eMMC de Samsung satisface los estándares de la industria móvil.

Los datos de Internet de las Cosas pueden ser transformadores, pero solo si las empresas los utilizan de manera eficaz. Connected Operations de ServiceNow descompone los silos de datos para que las empresas maximicen sus inversiones en IoT y vean el estado de los activos casi en tiempo real, en múltiples ubicaciones.

Para adquirir la capacidad que necesitan para almacenar archivos multimedia de gran tamaño, las empresas creativas se han visto obligadas tradicionalmente a utilizar discos duros (HDD). Frente a ellos, los SSD ahora están disponibles en capacidades que compiten con las unidades tradicionales y su rendimiento es más rápido.

Accenture ServiceNow Business Group es la nueva unidad que ambas compañías han creado para ayudar a las empresas a desplegar un a un Workplace más moderno, con flujos de trabajo basados en plataformas y posibilitados por la tecnología. Ofrecerá a los clientes soluciones y servicios específicos para el sector y para ámbitos concretos.

Sin el soporte de los fabricantes de CPU, la tasa de penetración de la memoria DDR5 se verá limitado, incluso si los fabricantes de DRAM están listos para lanzar sus productos DRAM de próxima generación. Samsung lideró la introducción de DDR3 y DDR4, y la cosa parece que no va a cambiar con DDR5.

Algunos administradores creen que las unidades de estado sólido para RAID ya no son necesarias, o incluso son un obstáculo. Si bien los SSD modernos son mucho más fiables y de mejor rendimiento que los discos duros mecánicos, el sistema RAID sigue siendo un medio popular para garantizar la disponibilidad de datos y la redundancia de...

La eficiencia es clave cuando se trata de tecnología de almacenamiento, y los centros de datos que priorizan el nivel de velocidad y rendimiento que brindan las soluciones de memoria de Samsung estarán bien equipados para manejar los requerimientos que exige la transición al trabajo en el hogar que estamos experimentando.

AWS Well-Architected Framework se ha diseñado para garantizar la implementación adecuada de todas las cargas de trabajo y aplicaciones en un modelo de infraestructura que cumple con todos los requisitos de seguridad, rendimiento, escalabilidad y optimización de costes. Como socio de Well-Architected, Linke garantiza el know-how para...

Los ingresos del segmento flash NAND para smartphones crecieron un 4% impulsados por la estabilización de precios y una mayor demanda de capacidad flash. El mercado está liderado por Samsung Memory con una participación del 44%. Por su parte, el segmento DRAM cayó un 4%, con Samsung acaparando una cuota del 55%.

Hay que tener en cuenta que las unidades que se insertan en un servidor deben afrontar requisitos de demanda y rendimiento constantes para un uso intensivo. Los SSD empresariales utilizan grandes cachés de DRAM y que, además, deben estar ajustados dentro del firmware para poder tener un rendimiento homogéneo.

DDR5 no solo mejora el rendimiento con respecto a su predecesor, sino que también ofrece una escalabilidad mejorada. Con velocidades máximas de transferencia de datos de hasta 4.800 Mbps, las memorias DDR5 de Samsung están diseñadas para manejar cargas de trabajo pesadas.

Para satisfacer las demandas de las CPU de próxima generación, DDR5 ofrece velocidades de datos mucho más altas, menor consumo de energía y mayor densidad. Samsung ha desarrollado memorias DDR5 que proporcionan un rendimiento potente y fiable capaz de manejar las crecientes demandas de los servidores modernos.

En una era en la que la movilidad de los datos es tan importante como la capacidad, PCIe Gen4 puede satisfacer las necesidades de alta velocidad de los centros de datos y servidores. También ofrece una mayor eficiencia energética, lo que hace que la interfaz sea una solución ideal para los sistemas de almacenamiento.

Diseñada para superar los límites de las soluciones de memoria tradicionales, la tecnología V-NAND de Samsung es la clave para desbloquear el potencial de nuestro mundo basado en datos. Los avances realizados con la sexta generación de V-NAND permitirán a Samsung dar el siguiente paso en la mejora de la tecnología de memoria.

En el corazón de la transformación 5G se encuentra una red capaz de transferir grandes cantidades de datos a la velocidad del rayo. Los dispositivos móviles no solo requerirán más RAM, sino un almacenamiento más rápido y grande, algo que Samsung satisface con su solución de almacenamiento flash UFS 3.1.

Idóneas para creadores de contenido y entusiastas de la fotografía, las nuevas tarjetas SD ofrecen velocidades excepcionales para admitir formatos de video 4K UHD y Full HD. Disponibles en cuatro capacidades de almacenamiento, cuentan con características de protección mejoradas que brindan a los consumidores una mayor tranquilidad.

A medida que la industria busca llevar las experiencias de automoción al siguiente nivel, Samsung Memory está sentando las bases sobre las que se construirán las funciones de la conducción inteligente del mañana. Estas soportarán cámaras, sensores y radares que facilitan funciones como asistencia al conductor y frenos de emergencia ...

Mientras que anteriormente la industria de la memoria se basaba en gran medida en mejoras iterativas, el avance habilitado por EUV cambiará las reglas del juego. EUV tiene un enorme potencial hoy y una gran cantidad de aplicaciones que transformará en el futuro, y Samsung quiere estar ahí.

La litografía Ultravioleta Extrema (EUV) aporta una serie de ventajas gracias al enfoque único que permite. Mientras que anteriormente, la industria se basaba en gran medida en mejoras iterativas, el avance habilitado por EUV cambiará las reglas del juego. Samsung lo sabe y prevé desplegar más soluciones DRAM basadas en procesos EUV.

A medida que la industria DRAM ingresa oficialmente a la era EUV, la tecnología de almacenamiento NAND Flash avanzará más allá de las 150 capas. Por otra parte, aunque PCIe Gen 3 es actualmente la interfaz de bus dominante para SSD, PCIe Gen 4 comenzará a ganar una mayor participación de mercado en 2021.